晶合集成申请半导体结构及其制备方法专利减少了器件的接触电阻

　　国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121419353A，申请日期为2025年12月。

　　专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供含衬底、浮置扩散区及源极跟随器的基底，源极跟随器的栅极结构位于衬底上表面，浮置扩散区在第一方向上位于栅极结构两侧；形成覆盖衬底与栅极结构的层间介质层；在层间介质层中形成位于栅极结构两侧的凹槽，凹槽的底部与栅极结构的顶部在第二方向间隔设置；形成覆盖凹槽的侧壁的掩膜层；基于掩膜层刻蚀形成底部分别显露浮置扩散区、栅极结构的第一接触孔、第二接触孔及连通两者的连接孔；形成覆盖第一、第二接触孔及连接孔的侧壁的低介电常数层；形成填充第一、第二接触孔及连接孔并覆盖低介电常数层的连接结构。本申请的半导体结构及其制备方法减少了器件的接触电阻的同时降低了寄生电容。

　　天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线条，此外企业还拥有行政许可22个。

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